બિનરેખીય સ્ફટિકો

આડા અને વર્ટિકલ સહિતની વૃદ્ધિની પદ્ધતિઓ, આ સામગ્રીઓ (ZnGeP2, AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, KTA, KTP, BIBO, LBO, BBO) આપેલ પ્રમાણભૂત કદ અને દિશાઓ સાથે ઉપલબ્ધ છે.જેમાંથી કેટલાક, અમે પ્રદાન કરેલા મોટા બિનરેખીય ગુણાંક અને અનન્ય પરિમાણોના ગુણધર્મો સાથે નિયમિત SHG, THG અને મિડ-ઇન્ફ્રારેડ OPO, OPA સિસ્ટમ્સ વગેરેમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાય છે. પ્રોડક્ટ્સ એનોડાઇઝ્ડ એલ્યુમિનિયમ ધારક સાથે અથવા તેના વિના વિતરિત કરી શકાય છે.

KTP ક્રિસ્ટલ

પોટેશિયમ ટાઇટેનાઇલ આર્સેનેટ (KTiOAsO4), અથવા KTA ક્રિસ્ટલ, ઓપ્ટિકલ પેરામેટ્રિક ઓસિલેશન (OPO) એપ્લિકેશન માટે ઉત્તમ નોનલાઇનર ઓપ્ટિકલ ક્રિસ્ટલ છે.તે બહેતર બિન-રેખીય ઓપ્ટિકલ અને ઇલેક્ટ્રો-ઓપ્ટિકલ ગુણાંક ધરાવે છે, 2.0-5.0 µm પ્રદેશમાં શોષણમાં નોંધપાત્ર ઘટાડો, વ્યાપક કોણીય અને તાપમાન બેન્ડવિડ્થ, નીચા ડાઇલેક્ટ્રિક સ્થિરાંકો.
ZnTe ક્રિસ્ટલ

Zinc Telluride એ ZnTe સૂત્ર સાથેનું બાઈનરી રાસાયણિક સંયોજન છે.DIEN TECH એ ZnTe ક્રિસ્ટલને ક્રિસ્ટલ એક્સિસ <110> સાથે ફેબ્રિકેટ કરે છે, જે સબપીકોસેકન્ડના ઉચ્ચ-તીવ્રતાવાળા પ્રકાશ પલ્સનો ઉપયોગ કરીને ઓપ્ટિકલ રેક્ટિફિકેશન તરીકે ઓળખાતી નોનલાઇનર ઓપ્ટિકલ પ્રક્રિયા દ્વારા ટેરાહર્ટ્ઝ આવર્તનના પલ્સની બાંયધરી આપવા માટે લાગુ કરાયેલ એક આદર્શ સામગ્રી છે.ZnTe તત્વો DIEN TECH પ્રદાન કરે છે તે બે ખામીઓથી મુક્ત છે.
PPKTP સિસ્ટલ્સ

સમયાંતરે પોલ્ડ પોટેશિયમ ટાઇટેનાઇલ ફોસ્ફેટ (PPKTP) એ અનન્ય માળખું ધરાવતું ફેરોઇલેક્ટ્રિક નોનલાઇનર ક્રિસ્ટલ છે જે ક્વાસી-ફેઝ-મેચિંગ (QPM) દ્વારા કાર્યક્ષમ આવર્તન રૂપાંતરણની સુવિધા આપે છે.
HgGa2S4 ક્રિસ્ટલ

લેસર ડેમેજ થ્રેશોલ્ડ અને રૂપાંતરણ કાર્યક્ષમતાના ઉચ્ચ મૂલ્યો મર્ક્યુરી થિયોગલેટ HgGa નો ઉપયોગ કરવાની મંજૂરી આપે છે₂S₄(HGS) 1.0 થી 10 µm સુધીની તરંગલંબાઇની શ્રેણીમાં આવર્તન બમણી કરવા માટે બિન-રેખીય સ્ફટિકો અને OPO/OPA.તે સ્થાપિત કરવામાં આવ્યું હતું કે CO ની SHG કાર્યક્ષમતા₂4 mm લંબાઈ HgGa માટે લેસર રેડિયેશન₂S₄તત્વ લગભગ 10% છે (પલ્સ સમયગાળો 30 એનએસ, રેડિયેશન પાવર ડેન્સિટી 60 MW/cm²).ઉચ્ચ રૂપાંતરણ કાર્યક્ષમતા અને રેડિયેશન વેવલેન્થ ટ્યુનિંગની વિશાળ શ્રેણી અપેક્ષા રાખવાની મંજૂરી આપે છે કે આ સામગ્રી AgGaS સાથે સ્પર્ધા કરી શકે છે.₂, AgGaSe₂, ZnGeP₂અને મોટા કદના સ્ફટિકોની વૃદ્ધિની પ્રક્રિયામાં નોંધપાત્ર મુશ્કેલી હોવા છતાં GaSe સ્ફટિકો.