AGGS(AgGaGeS4) ક્રિસ્ટલ્સ
AgGaGeS4 ક્રિસ્ટલ વધુને વધુ વિકસિત નવા બિનરેખીય સ્ફટિકોમાં અત્યંત જબરદસ્ત સંભવિતતા ધરાવતું ઘન સોલ્યુશન ક્રિસ્ટલ છે.તે ઉચ્ચ બિનરેખીય ઓપ્ટિકલ ગુણાંક (d31=15pm/V), વિશાળ ટ્રાન્સમિશન શ્રેણી (0.5-11.5um) અને નીચા શોષણ ગુણાંક (1064nm પર 0.05cm-1) વારસામાં મેળવે છે.આવા ઉત્કૃષ્ટ ગુણધર્મો 4-11um ની મિડ-ઇન્ફ્રારેડ તરંગલંબાઇમાં ફ્રિક્વન્સી-શિફ્ટિંગ નજીક-ઇન્ફ્રારેડ 1.064um Nd:YAG લેસર માટે ખૂબ ફાયદાકારક છે.આ ઉપરાંત, તે લેસર નુકસાન થ્રેશોલ્ડ અને તબક્કા-મેળતી પરિસ્થિતિઓની શ્રેણી પર તેના પિતૃ સ્ફટિકો કરતાં વધુ સારું પ્રદર્શન ધરાવે છે, જે ઉચ્ચ લેસર નુકસાન થ્રેશોલ્ડ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે, જે તેને સતત અને ઉચ્ચ-પાવર ફ્રીક્વન્સી કન્વર્ઝન સાથે સુસંગત બનાવે છે.
તેના ઉચ્ચ નુકસાન થ્રેશોલ્ડ અને તબક્કા-મેળિંગ યોજનાઓની વધુ વિવિધતાને લીધે AgGaGeS4 એ ઉચ્ચ શક્તિ અને વિશિષ્ટ એપ્લિકેશન્સમાં વ્યાપકપણે ફેલાયેલ AgGaS2 નો વિકલ્પ બની શકે છે.
AgGaGeS4 ક્રિસ્ટલના ગુણધર્મો:
સપાટી નુકસાન થ્રેશોલ્ડ: 1.08J/cm2
શારીરિક નુકસાન થ્રેશોલ્ડ: 1.39J/cm2
| ટેકનિકલપરિમાણો | |
| વેવફ્રન્ટ વિકૃતિ | λ/6 @ 633 nm કરતાં ઓછું |
| પરિમાણ સહનશીલતા | (W +/-0.1 mm) x (H +/-0.1 mm) x (L +0.2 mm/-0.1 mm) |
| છિદ્ર સાફ કરો | > 90% કેન્દ્રીય વિસ્તાર |
| સપાટતા | T>=1.0mm માટે λ/6 @ 633 nm |
| સપાટી ગુણવત્તા | સ્ક્રેચ/ડિગ 20/10 પ્રતિ MIL-O-13830A |
| સમાંતરવાદ | 1 આર્ક મિનિટ કરતાં વધુ સારી |
| લંબરૂપતા | 5 આર્ક મિનિટ |
| કોણ સહનશીલતા | Δθ < +/-0.25o, Δφ < +/-0.25o |
-
ફોન
ફોન
-
ઈમેલ
ઈમેલ
-
વોટ્સેપ
વોટ્સેપ
-
વીચેટ
વીચેટ
-
ટોચ
