બિનરેખીય સ્ફટિકો

આડા અને વર્ટિકલ સહિતની વૃદ્ધિની પદ્ધતિઓ, આ સામગ્રીઓ (ZnGeP2, AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, KTA, KTP, BIBO, LBO, BBO) આપેલ પ્રમાણભૂત કદ અને દિશાઓ સાથે ઉપલબ્ધ છે.જેમાંથી કેટલાક, અમે પ્રદાન કરેલા મોટા બિનરેખીય ગુણાંક અને અનન્ય પરિમાણોના ગુણધર્મો સાથે નિયમિત SHG, THG અને મિડ-ઇન્ફ્રારેડ OPO, OPA સિસ્ટમ્સ વગેરેમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાય છે. પ્રોડક્ટ્સ એનોડાઇઝ્ડ એલ્યુમિનિયમ ધારક સાથે અથવા તેના વિના વિતરિત કરી શકાય છે.

GaSe ક્રિસ્ટલ

ગેલિયમ સેલેનાઇડ (GaSe) નોન-લીનિયર ઓપ્ટિકલ સિંગલ ક્રિસ્ટલ, મોટા બિન-રેખીય ગુણાંક, ઉચ્ચ નુકસાન થ્રેશોલ્ડ અને વિશાળ પારદર્શિતા શ્રેણીનું સંયોજન.તે મધ્ય IR માં SHG માટે ખૂબ જ યોગ્ય સામગ્રી છે.
ZGP(ZnGeP2) ક્રિસ્ટલ્સ

મોટા બિનરેખીય ગુણાંક ધરાવતા ZGP સ્ફટિકો (d36=75pm/V), વિશાળ ઇન્ફ્રારેડ પારદર્શિતા શ્રેણી (0.75-12μm), ઉચ્ચ થર્મલ વાહકતા (0.35W/(cm·K), ઉચ્ચ લેસર નુકસાન થ્રેશોલ્ડ (2-5J/cm2) અને સારી રીતે મશીનિંગ પ્રોપર્ટી, ZnGeP2 ક્રિસ્ટલને ઇન્ફ્રારેડ નોનલાઇનર ઓપ્ટિકલ ક્રિસ્ટલ્સનો રાજા કહેવામાં આવતું હતું અને તે હજુ પણ ઉચ્ચ શક્તિ, ટ્યુનેબલ ઇન્ફ્રારેડ લેસર જનરેશન માટે શ્રેષ્ઠ આવર્તન રૂપાંતર સામગ્રી છે.અમે અત્યંત નીચા શોષણ ગુણાંક α <0.05 cm-1 (પંપ તરંગલંબાઇ 2.0-2.1 µm પર) સાથે ઉચ્ચ ઓપ્ટિકલ ગુણવત્તા અને મોટા વ્યાસના ZGP ક્રિસ્ટલ્સ ઓફર કરી શકીએ છીએ, જેનો ઉપયોગ OPO અથવા OPA દ્વારા ઉચ્ચ કાર્યક્ષમતા સાથે મિડ-ઇન્ફ્રારેડ ટ્યુનેબલ લેસર જનરેટ કરવા માટે કરી શકાય છે. પ્રક્રિયાઓ
AGSe(AgGaSe2) ક્રિસ્ટલ્સ

AGSeAgGaSe2 સ્ફટિકોમાં 0.73 અને 18 µm પર બેન્ડની ધાર હોય છે.તેની ઉપયોગી ટ્રાન્સમિશન રેન્જ (0.9–16 µm) અને વાઈડ ફેઝ મેચિંગ ક્ષમતા ઓપીઓ એપ્લીકેશન માટે ઉત્કૃષ્ટ સંભાવના પૂરી પાડે છે જ્યારે વિવિધ લેસરો દ્વારા પમ્પ કરવામાં આવે છે.Ho:YLF લેસર દ્વારા 2.05 µm પર પંપ કરતી વખતે 2.5–12 µm ની અંદર ટ્યુનિંગ મેળવવામાં આવ્યું છે;તેમજ નોન-ક્રિટીકલ ફેઝ મેચીંગ (NCPM) ઓપરેશન 1.9–5.5 µm ની અંદર જ્યારે 1.4–1.55 µm પર પમ્પ કરવામાં આવે છે.AgGaSe2 (AgGaSe2) એ ઇન્ફ્રારેડ CO2 લેસર રેડિયેશન માટે કાર્યક્ષમ ફ્રીક્વન્સી ડબલિંગ ક્રિસ્ટલ હોવાનું દર્શાવવામાં આવ્યું છે.
AGS(AgGaS2) સ્ફટિકો

AGS 0.50 થી 13.2 µm સુધી પારદર્શક છે.ઉલ્લેખિત ઇન્ફ્રારેડ સ્ફટિકોમાં તેનો બિનરેખીય ઓપ્ટિકલ ગુણાંક સૌથી ઓછો હોવા છતાં, Nd:YAG લેસર દ્વારા પમ્પ કરાયેલ OPOsમાં 550 nm પર ઉચ્ચ ટૂંકી તરંગલંબાઇ પારદર્શિતા ધારનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે;ડાયોડ, Ti:Sapphire, Nd:YAG અને IR ડાય લેસરો 3–12 µm રેન્જને આવરી લેતા અસંખ્ય તફાવત આવર્તન મિશ્રણ પ્રયોગોમાં;ડાયરેક્ટ ઇન્ફ્રારેડ કાઉન્ટરમેઝર સિસ્ટમમાં અને CO2 લેસરના SHG માટે.પાતળી AgGaS2 (AGS) ક્રિસ્ટલ પ્લેટ્સ NIR તરંગલંબાઇના કઠોળને રોજગારી આપતા તફાવત આવર્તન જનરેશન દ્વારા મધ્ય IR શ્રેણીમાં અલ્ટ્રાશોર્ટ પલ્સ જનરેશન માટે લોકપ્રિય છે.
BGSe(BaGa4Se7) ક્રિસ્ટલ્સ

BGSe (BaGa4Se7) ના ઉચ્ચ-ગુણવત્તાવાળા સ્ફટિકો એ chalcogenide સંયોજન BaGa4S7નું સેલેનાઇડ એનાલોગ છે, જેનું કેન્દ્રીય ઓર્થોમ્બિક માળખું 1983 માં ઓળખવામાં આવ્યું હતું અને IR NLO અસર 2009 માં નોંધવામાં આવી હતી, તે એક નવા વિકસિત IR NLO ક્રિસ્ટલ છે.તે બ્રિજમેન-સ્ટોકબર્ગર ટેકનિક દ્વારા મેળવવામાં આવ્યું હતું.આ સ્ફટિક 0.47-18 μmની વિશાળ શ્રેણીમાં ઉચ્ચ પ્રસારણ દર્શાવે છે, સિવાય કે લગભગ 15 μm પર શોષણની ટોચ.
BGGSe(BaGa2GeSe6) ક્રિસ્ટલ્સ

BaGa2GeSe6 ક્રિસ્ટલમાં ઉચ્ચ ઓપ્ટિકલ ડેમેજ થ્રેશોલ્ડ (110 MW/cm2), વિશાળ સ્પેક્ટ્રલ પારદર્શિતા શ્રેણી (0.5 થી 18 μm સુધી) અને ઉચ્ચ બિનરેખીયતા (d11 = 66 ± 15 pm/V) છે, જે આ ક્રિસ્ટલ માટે ખૂબ જ આકર્ષક બનાવે છે. મધ્ય-IR શ્રેણીમાં (અથવા અંદર) લેસર રેડિયેશનનું આવર્તન રૂપાંતર.